院士国内集成电路光刻技术落后国外15-20年

（原标题：中科院：光刻技能是国内外集成电路范畴距离最大的环节）

集微网音讯（文/Oliver），9月17日，2019我国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式举行， 中科院院士刘明在讲演中指出，国内的光刻技能与国外技能距离仍为15～20年，是集成电路范畴中距离最大的环节。

刘明谈到了国内集成电路的几项根底技能。关于光刻胶技能，刘明表明，我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超润滑抛光技能等方面取得了一些研讨进展。但总的来说，国内的光刻技能与国外技能距离仍为15～20年，是集成电路范畴中距离最大的环节。

在逻辑器材方面，刘明指出，国内涵低功耗新原理逻辑器材的机理、模型、资料、结构和集成技能上展开了前瞻性研讨。国内优势企业、高校和研讨地点硅基逻辑器材的成套先导技能上展开了系统研讨，为工业展开供给了技能知识产权的协助。

别的，刘明还表明，我国在新式存储器前沿和关键技能等方面均展开了系统研讨；学术界与工业界协作严密，开发了RRAM、PRAM和MRAM的大规模集成工艺。

最终，刘明着重，IC的快速展开是信息化的中心和根底，器材继续微缩的More than Moore道路，我国很难完成逾越，但这是立异的根底，有必要夯实，没有弯道可走。（校正/holly）

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